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IRF3711ZCL

IRF3711ZCL

참조 용

부품 번호 IRF3711ZCL
PNEDA 부품 번호 IRF3711ZCL
설명 MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
제조업체 Infineon Technologies
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IRF3711ZCL 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF3711ZCL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRF3711ZCL, IRF3711ZCL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 277.29 KB)
PDFIRF3711ZCSTRR 데이터 시트 표지
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IRF3711ZCL 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)92A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs24nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2150pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)79W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-262
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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-

FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 20V

Vgs (최대)

+20V, -5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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2N7002-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

115mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-236

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI3805DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

LITTLE FOOT®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

84mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta), 1.4W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15.2A (Ta), 149A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

3.2V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

85nC @ 11.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4830pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

900mW (Ta), 86.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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SI4463CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13.6A (Ta), 49A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

162nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4250pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.7W (Ta), 5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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