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IRF5852

IRF5852

참조 용

부품 번호 IRF5852
PNEDA 부품 번호 IRF5852
설명 MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $4.9417
250 ---------- $4.7101
500 ---------- $4.4784
1,000 ---------- $4.2468
2,500 ---------- $4.0537
5,000 ---------- $3.8607
재고 있음 36,857
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IRF5852 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF5852
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF5852, IRF5852 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 126.63 KB)
PDFIRF5852TR 데이터 시트 표지
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  • IRF5852 Distributor

IRF5852 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds400pF @ 15V
전력-최대960mW
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지6-TSOP

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25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

680mA (Ta), 460mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V, 63pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

DMN63D8LDWQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.87nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22pF @ 25V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

DMN32D4SDW-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

650mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 15V

전력-최대

290mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

QS6J11TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 6V

전력-최대

600mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

808pF @ 25V

전력-최대

38W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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