IRF6150
참조 용
| 부품 번호 | IRF6150 |
| PNEDA 부품 번호 | IRF6150 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,840 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF6150 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF6150 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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IRF6150 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.9A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 7.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 3W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 16-WFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 16-FlipFet™ |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, Polar3™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 110mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 96nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6250pF @ 25V 전력-최대 320W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 24-SMD Module, 9 Leads 공급자 장치 패키지 24-SMPD |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.9A, 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 235pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.5A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1082pF @ 10V 전력-최대 600mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 680mA (Ta), 460mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 10V, 63pF @ 10V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 TSOT-26 |
제조업체 Monolithic Power Systems Inc. 시리즈 - FET 유형 3 N-Channel, Common Gate FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -20°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
