IRF6610TR1
참조 용
| 부품 번호 | IRF6610TR1 |
| PNEDA 부품 번호 | IRF6610TR1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,402 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF6610TR1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF6610TR1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IRF6610TR1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 15A (Ta), 66A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1520pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | DIRECTFET™ SQ |
| 패키지 / 케이스 | DirectFET™ Isometric SQ |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.9A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.8nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 845pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I-PAK 패키지 / 케이스 TO-251-3 Stub Leads, IPak |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs 60Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 120pF @ 25V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 1.3W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-243AA (SOT-89) 패키지 / 케이스 TO-243AA |
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