IRF7103TRPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRF7103TRPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRF7103TRPBF |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 570,672 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF7103TRPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF7103TRPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IRF7103TRPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 50V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 25V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 870pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
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