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IRF7105QTRPBF

IRF7105QTRPBF

참조 용

부품 번호 IRF7105QTRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF7105QTRPBF
설명 MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7105QTRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7105QTRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF7105QTRPBF, IRF7105QTRPBF 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 593.61 KB)
PDFIRF7105QTRPBF 데이터 시트 표지
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IRF7105QTRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds330pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

MPT6

SSD2007ATF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRFI4020H-117P

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.9V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1240pF @ 25V

전력-최대

21W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-5 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220-5 Full-Pak

DMC3016LDV-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc), 15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

전력-최대

900mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

DMN61D8LVT-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.74nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12.9pF @ 12V

전력-최대

820mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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