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IRF7303TRPBF

IRF7303TRPBF

참조 용

부품 번호 IRF7303TRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF7303TRPBF
설명 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 29,412
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7303TRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7303TRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • IRF7303TRPBF Distributor

IRF7303TRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds520pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2152pF @ 25V

전력-최대

53W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

IRF7316PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMC2710UV-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTC80H29T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2254pF @ 25V

전력-최대

156W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

TSM6968DCA RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 10V

전력-최대

1.04W

작동 온도

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