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IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF

참조 용

부품 번호 IRF7342TRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF7342TRPBF
설명 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,246
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 3 - 5월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7342TRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7342TRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • IRF7342TRPBF Distributor

IRF7342TRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds690pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 22A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

888pF @ 15V

전력-최대

3.1W (Ta), 17W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 15V

전력-최대

680mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

610pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

700pF @ 20V

전력-최대

17.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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12pF @ 3V

전력-최대

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