IRF7503TR
참조 용
| 부품 번호 | IRF7503TR |
| PNEDA 부품 번호 | IRF7503TR |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,840 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF7503TR 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF7503TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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IRF7503TR 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 1.7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 210pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1.25W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | Micro8™ |
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제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 45A Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1860pF @ 15V 전력-최대 2.8W 작동 온도 -55°C ~ 155°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지 8-LSON (5x6) |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V 전력-최대 6W 작동 온도 -55°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-VSON (3.3x3.3) |
