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IRF7503TR

IRF7503TR

참조 용

부품 번호 IRF7503TR
PNEDA 부품 번호 IRF7503TR
설명 MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,840
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7503TR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7503TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF7503TR, IRF7503TR 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 114.71 KB)
PDFIRF7503TR 데이터 시트 표지
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IRF7503TR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs135mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds210pF @ 25V
전력-최대1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지Micro8™

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제조업체

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시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

CSD87355Q5DT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1860pF @ 15V

전력-최대

2.8W

작동 온도

-55°C ~ 155°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

8-LSON (5x6)

DMC3730UVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

680mA (Ta), 460mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V, 63pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

BUK9K8R7-40EX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2110pF @ 25V

전력-최대

53W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

FDS3890

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

44mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1180pF @ 40V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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