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IRF7606TR

IRF7606TR

참조 용

부품 번호 IRF7606TR
PNEDA 부품 번호 IRF7606TR
설명 MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 18 - 6월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7606TR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7606TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRF7606TR, IRF7606TR 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 128.4 KB)
PDFIRF7606TR 데이터 시트 표지
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IRF7606TR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds520pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.8W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지Micro8™
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TEMPFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

49V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 240µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

232nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4800pF @ 25V

FET 기능

Temperature Sensing Diode

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-7-1

패키지 / 케이스

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

IXTK250N10

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

MegaMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

430nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

730W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXTK)

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

SIHD3N50DT4-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

PSMNR58-30YLHX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300A

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6.16nF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SOT-1023, 4-LFPAK

IXFX32N90P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, PolarP2™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

215nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

960W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

패키지 / 케이스

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