IRF7606TR
참조 용
| 부품 번호 | IRF7606TR |
| PNEDA 부품 번호 | IRF7606TR |
| 설명 | MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,508 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 18 - 6월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF7606TR 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF7606TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IRF7606TR 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.6A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 520pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.8W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | Micro8™ |
| 패키지 / 케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
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제조업체 IXYS 시리즈 MegaMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 430nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12700pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 730W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-264 (IXTK) 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 300A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 98nC @ 10V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6.16nF @ 10V FET 기능 Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대) - 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스 SOT-1023, 4-LFPAK |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 215nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 960W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PLUS247™-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
