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IRF7707TRPBF

IRF7707TRPBF

참조 용

부품 번호 IRF7707TRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF7707TRPBF
설명 MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7707TRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7707TRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRF7707TRPBF, IRF7707TRPBF 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 236.54 KB)
PDFIRF7707TRPBF 데이터 시트 표지
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  • IRF7707TRPBF Distributor

IRF7707TRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs47nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2361pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.5W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-TSSOP
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

175W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchMV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

182A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4850pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263-7 (IXTA..7)

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

AON6435

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 34A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.1W (Ta), 31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

NVMTS0D7N04CTXG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A (Ta), 430A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.67mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9281pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.9W (Ta), 273W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFNW (8.3x8.4)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IRFB3806PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

71W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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