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IRF7750

IRF7750

참조 용

부품 번호 IRF7750
PNEDA 부품 번호 IRF7750
설명 MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7750 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7750
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF7750, IRF7750 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 110.98 KB)
PDFIRF7750 데이터 시트 표지
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IRF7750 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs39nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1700pF @ 15V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1542pF @ 25V

전력-최대

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드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V

전력-최대

12W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2130pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15pF @ 25V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.7Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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