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IRF7904TRPBF-1

IRF7904TRPBF-1

참조 용

부품 번호 IRF7904TRPBF-1
PNEDA 부품 번호 IRF7904TRPBF-1
설명 MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7904TRPBF-1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7904TRPBF-1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF7904TRPBF-1, IRF7904TRPBF-1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 307.79 KB)
PDFIRF7904TRPBF-1 데이터 시트 표지
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  • IRF7904TRPBF-1 Price
  • IRF7904TRPBF-1 Distributor

IRF7904TRPBF-1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
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Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

105nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

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장착 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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IRF7905TRPBF

Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.8A, 8.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.25V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DF11MR12W1M1B11BOMA1

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 20mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

125nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3950pF @ 800V

전력-최대

20mW

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

600nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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