IRF7905PBF
참조 용
| 부품 번호 | IRF7905PBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | IRF7905PBF | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 226 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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IRF7905PBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF7905PBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IRF7905PBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.8A, 8.9A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 21.8mOhm @ 7.8A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.25V @ 25µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 600pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.3A, 17.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1150pF @ 15V 전력-최대 1.1W, 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2260pF @ 25V 전력-최대 50W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8-10 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 250mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SC-89-6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1525pF @ 30V 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 65nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
