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IRF9620SPBF

IRF9620SPBF

참조 용

부품 번호 IRF9620SPBF
PNEDA 부품 번호 IRF9620SPBF
설명 MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
제조업체 Vishay Siliconix
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IRF9620SPBF 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF9620SPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRF9620SPBF, IRF9620SPBF 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 172.8 KB)
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IRF9620SPBF 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds350pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 66A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4360pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SUD45P04-16P-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.2mOhm @ 14A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2765pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 41.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252AA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPP139N08N3 G

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.9mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 33µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1730pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

FDB16AN08A0

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 58A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1857pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

135W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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공급자 장치 패키지

D²PAK

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2950pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

310W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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