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IRF9953

IRF9953

참조 용

부품 번호 IRF9953
PNEDA 부품 번호 IRF9953
설명 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $5.4646
250 ---------- $5.2084
500 ---------- $4.9523
1,000 ---------- $4.6961
2,500 ---------- $4.4827
5,000 ---------- $4.2692
재고 있음 629
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IRF9953 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF9953
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF9953, IRF9953 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 107.4 KB)
PDFIRF9953TR 데이터 시트 표지
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IRF9953 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds190pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta), 2.7A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 15V, 240pF @ 15V

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

850mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

265pF @ 10V

전력-최대

750mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFBGA, DSBGA

공급자 장치 패키지

6-DSBGA (1x1.5)

ZXMC3A18DN8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A, 4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 25V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

ALD212904SAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Infineon Technologies

제조업체

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.55V @ 250µA

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11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

960pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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