IRFHS9301TR2PBF
참조 용
| 부품 번호 | IRFHS9301TR2PBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRFHS9301TR2PBF |
| 설명 | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,506 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRFHS9301TR2PBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRFHS9301TR2PBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IRFHS9301TR2PBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Ta), 13A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.8A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 580pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.1W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 6-PQFN (2x2) |
| 패키지 / 케이스 | 6-PowerVDFN |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.1nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 560pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 35W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 72nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3770pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 63W (Tc) 작동 온도 -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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