IRFHS9351TRPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRFHS9351TRPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRFHS9351TRPBF |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 91,506 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRFHS9351TRPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRFHS9351TRPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IRFHS9351TRPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 10µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 160pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1.4W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-VQFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-PQFN (2x2) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 110pF @ 25V, 200pF @ 25V 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-VDFN (6x5) |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 190pF @ 25V 전력-최대 1.13W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-MLP (3x2) |
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