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IRFI510GPBF

IRFI510GPBF

참조 용

부품 번호 IRFI510GPBF
PNEDA 부품 번호 IRFI510GPBF
설명 MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFI510GPBF 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFI510GPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRFI510GPBF, IRFI510GPBF 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 1,042.48 KB)
PDFIRFI510G 데이터 시트 표지
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IRFI510GPBF 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs540mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.3nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds180pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)27W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

41A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3573pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

149W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPD380P06NMATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

38mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPP100N06S3L-04

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

362nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17270pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

214W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

SPD02N80C3ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 120µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMTH6016LK3Q-13

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.8A (Ta), 46.9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

864pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ECX-.327-CDX-1293

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TAJE477K010RNJ

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AT28HC256-12SI

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IS43TR16128D-125KBLI

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