IRFI9520GPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRFI9520GPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRFI9520GPBF |
| 설명 | MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 14,124 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
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IRFI9520GPBF 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRFI9520GPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IRFI9520GPBF 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.2A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 390pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 37W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 155nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5160pF @ 40V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 ThunderFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 7.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 58mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14.5nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 420pF @ 75V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 52W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8S |
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