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IRFI9540GPBF

IRFI9540GPBF

참조 용

부품 번호 IRFI9540GPBF
PNEDA 부품 번호 IRFI9540GPBF
설명 MOSFET P-CH 100V 11A TO220FP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 18,888
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFI9540GPBF 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFI9540GPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRFI9540GPBF, IRFI9540GPBF 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 948.65 KB)
PDFIRFI9540G 데이터 시트 표지
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IRFI9540GPBF 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs200mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs61nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)48W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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Infineon Technologies

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

176nC @ 10V

Vgs (최대)

+5V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

FDMS86101DC

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Dual Cool™, PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.5A (Ta), 60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3135pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Dual Cool™56

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

STL8N10LF3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

970pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.3W (Ta), 70W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

LP0701LG-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

16.5V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 300mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1.1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

46A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3305pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

35W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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