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IRFR2307Z

IRFR2307Z

참조 용

부품 번호 IRFR2307Z
PNEDA 부품 번호 IRFR2307Z
설명 MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFR2307Z 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFR2307Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRFR2307Z, IRFR2307Z 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 304.17 KB)
PDFIRFR2307Z 데이터 시트 표지
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IRFR2307Z 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)42A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs16mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs75nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2190pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)110W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1715pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

IPS70R900P7SAKMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ P7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

900mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 60µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

211pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30.5W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO251-3

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRF640NSPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1160pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RUF015N02TL

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

490mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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