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IRFR3504TRLPBF

IRFR3504TRLPBF

참조 용

부품 번호 IRFR3504TRLPBF
PNEDA 부품 번호 IRFR3504TRLPBF
설명 MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
제조업체 Infineon Technologies
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IRFR3504TRLPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFR3504TRLPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRFR3504TRLPBF, IRFR3504TRLPBF 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 324.56 KB)
PDFIRFR3504TRPBF 데이터 시트 표지
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  • IRFR3504TRLPBF Distributor

IRFR3504TRLPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs71nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2150pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)140W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 2.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 1.5A, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 4V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

600mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TUMT3

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

PMPB43XPEAX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1.55nF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DFN2020MD-6

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

IRFL1006TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

193nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

315W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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