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IRFS9N60ATRL

IRFS9N60ATRL

참조 용

부품 번호 IRFS9N60ATRL
PNEDA 부품 번호 IRFS9N60ATRL
설명 MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFS9N60ATRL 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFS9N60ATRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRFS9N60ATRL, IRFS9N60ATRL 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 225 KB)
PDFIRFS9N60ATRR 데이터 시트 표지
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IRFS9N60ATRL 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs49nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)170W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVIII-H

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

198mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOP Advance (5x5)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

IRFS3607PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 46A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3070pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ZXMN6A08KTC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.36A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

459pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.12W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMS3016SSS-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1849pF @ 15V

FET 기능

Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

1.54W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SPP80P06PHXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 64A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

173nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5033pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

340W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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