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IRG4BC10SD-LPBF

IRG4BC10SD-LPBF

참조 용

부품 번호 IRG4BC10SD-LPBF
PNEDA 부품 번호 IRG4BC10SD-LPBF
설명 IGBT 600V 14A 38W TO262
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,312
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 16 - 2월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4BC10SD-LPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4BC10SD-LPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4BC10SD-LPBF, IRG4BC10SD-LPBF 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 316.69 KB)
PDFIRG4BC10SD-LPBF 데이터 시트 표지
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  • IRG4BC10SD-LPBF Distributor

IRG4BC10SD-LPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)14A
전류-수집기 펄스 (Icm)18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 8A
전력-최대38W
에너지 전환310µJ (on), 3.28mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지15nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C76ns/815ns
테스트 조건480V, 8A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)28ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지TO-262

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

192A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

전력-최대

330W

에너지 전환

1.4mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/160ns

테스트 조건

400V, 48A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 35A

전력-최대

250W

에너지 전환

900µJ (on), 3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/270ns

테스트 조건

960V, 35A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

HGTP12N60A4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 50µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

78nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/96ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

AOK20B135D1

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1350V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 20A

전력-최대

340W

에너지 전환

1.05mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

66nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/156ns

테스트 조건

600V, 20A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IXBF42N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

380A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 42A

전력-최대

240W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

72ns/445ns

테스트 조건

1500V, 42A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-4, Isolated

공급자 장치 패키지

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