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IRG4BC20FD-STRL

IRG4BC20FD-STRL

참조 용

부품 번호 IRG4BC20FD-STRL
PNEDA 부품 번호 IRG4BC20FD-STRL
설명 IGBT 600V 16A 60W D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,426
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4BC20FD-STRL 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4BC20FD-STRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4BC20FD-STRL, IRG4BC20FD-STRL 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 225.22 KB)
PDFIRG4BC20FD-STRR 데이터 시트 표지
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  • IRG4BC20FD-STRL Distributor

IRG4BC20FD-STRL 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)16A
전류-수집기 펄스 (Icm)64A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 9A
전력-최대60W
에너지 전환250µJ (on), 640µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C43ns/240ns
테스트 조건480V, 9A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)37ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 12A

전력-최대

125W

에너지 전환

258µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

54nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/96ns

테스트 조건

480V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

500A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 100A

전력-최대

460W

에너지 전환

230µJ (on), 520µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

162nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/105ns

테스트 조건

200V, 50A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

IHW25N120R2FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 25A

전력-최대

365W

에너지 전환

1.59mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

60.7nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/324ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

600A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 100A

전력-최대

780W

에너지 전환

2.7mJ (on), 6.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

450nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/295ns

테스트 조건

480V, 100A, 1.5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 42A

전력-최대

1040W

에너지 전환

3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

358nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/418ns

테스트 조건

1360V, 42A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

360ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

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