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IRG4BC20MDPBF

IRG4BC20MDPBF

참조 용

부품 번호 IRG4BC20MDPBF
PNEDA 부품 번호 IRG4BC20MDPBF
설명 IGBT 600V 18A 60W TO220AB
제조업체 Infineon Technologies
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IRG4BC20MDPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4BC20MDPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4BC20MDPBF, IRG4BC20MDPBF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 317.67 KB)
PDFIRG4BC20MDPBF 데이터 시트 표지
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  • IRG4BC20MDPBF Distributor

IRG4BC20MDPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)18A
전류-수집기 펄스 (Icm)36A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 11A
전력-최대60W
에너지 전환410µJ (on), 2.03mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지39nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C21ns/463ns
테스트 조건480V, 11A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)37ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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IRGB4620DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32A

전류-수집기 펄스 (Icm)

36A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

전력-최대

140W

에너지 전환

75µJ (on), 225µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/83ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AC

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

95A

전류-수집기 펄스 (Icm)

350A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

전력-최대

660W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/110ns

테스트 조건

960V, 40A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

TO-247PLUS-HV

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

56A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

전력-최대

190W

에너지 전환

400µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/143ns

테스트 조건

360V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

SGP15N60RUFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 15A

전력-최대

160W

에너지 전환

320µJ (on), 356µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

42nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/44ns

테스트 조건

300V, 15A, 13Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

RJP60F5DPK-01#T0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

전력-최대

260.4W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

74nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

53ns/90ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

최근 판매

T495D337K006ATE040

T495D337K006ATE040

KEMET

CAP TANT 330UF 10% 6.3V 2917

ADR291GRZ

ADR291GRZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

TAJE477K010RNJ

TAJE477K010RNJ

CAP TANT 470UF 10% 10V 2917

AT45DB041B-SI

AT45DB041B-SI

Microchip Technology

IC FLASH 4M SPI 20MHZ 8SOIC

FDS6570A

FDS6570A

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC

4816P-1-331LF

4816P-1-331LF

Bourns

RES ARRAY 8 RES 330 OHM 16SOIC

USBLC6-2SC6

USBLC6-2SC6

STMicroelectronics

TVS DIODE 5.25V 17V SOT23-6

VS-VSKU91/04

VS-VSKU91/04

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE THYRISTOR 95A ADD-A-PAK

LTC3418EUHF#PBF

LTC3418EUHF#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 8A 38QFN

MPC9448ACR2

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IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:12 350MHZ 32TQFP

SP3232EET-L

SP3232EET-L

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

XCF32PVOG48C

XCF32PVOG48C

Xilinx

IC PROM SRL/PAR 1.8V 32M 48TSOP