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IRG4BC20SD

IRG4BC20SD

참조 용

부품 번호 IRG4BC20SD
PNEDA 부품 번호 IRG4BC20SD
설명 IGBT 600V 19A 60W TO220AB
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,568
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4BC20SD 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4BC20SD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4BC20SD, IRG4BC20SD 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 293.14 KB)
PDFIRG4BC20SD 데이터 시트 표지
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IRG4BC20SD 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)19A
전류-수집기 펄스 (Icm)38A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 10A
전력-최대60W
에너지 전환320µJ (on), 2.58mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C62ns/690ns
테스트 조건480V, 10A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)37ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

64A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

525µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/225ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전력-최대

400W

에너지 전환

4.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/350ns

테스트 조건

720V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

RJH60F4DPK-00#T0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 30A

전력-최대

235.8W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/85ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

APT75GP120B2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

전력-최대

1042W

에너지 전환

1620µJ (on), 2500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

320nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/163ns

테스트 조건

600V, 75A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

IHW30N120R3FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 30A

전력-최대

349W

에너지 전환

1.47mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

263nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/326ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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