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IRG4BC20UD-STRL

IRG4BC20UD-STRL

참조 용

부품 번호 IRG4BC20UD-STRL
PNEDA 부품 번호 IRG4BC20UD-STRL
설명 IGBT 600V 13A 60W D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,798
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4BC20UD-STRL 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4BC20UD-STRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4BC20UD-STRL, IRG4BC20UD-STRL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 240.39 KB)
PDFIRG4BC20UD-STRR 데이터 시트 표지
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  • IRG4BC20UD-STRL Distributor

IRG4BC20UD-STRL 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)13A
전류-수집기 펄스 (Icm)52A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 6.5A
전력-최대60W
에너지 전환160µJ (on), 130µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C39ns/93ns
테스트 조건480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)37ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

28A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 7A

전력-최대

88W

에너지 전환

99µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/160ns

테스트 조건

400V, 7A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

136ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

455W

에너지 전환

1.06mJ (on), 1.56mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

126nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

55ns/189ns

테스트 조건

400V, 75A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

76ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-247

SGP13N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

전력-최대

60W

에너지 전환

85µJ (on), 95µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/70ns

테스트 조건

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

NGB8202NT4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

440V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/5µs

테스트 조건

300V, 9A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG8P75N65UD1-EPBF

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전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

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