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IRG4IBC20KD

IRG4IBC20KD

참조 용

부품 번호 IRG4IBC20KD
PNEDA 부품 번호 IRG4IBC20KD
설명 IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,300
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4IBC20KD 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4IBC20KD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4IBC20KD, IRG4IBC20KD 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 202.73 KB)
PDFIRG4IBC20KD 데이터 시트 표지
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  • IRG4IBC20KD Distributor

IRG4IBC20KD 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)11.5A
전류-수집기 펄스 (Icm)23A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 9A
전력-최대34W
에너지 전환340µJ (on), 300µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지34nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C54ns/180ns
테스트 조건480V, 9A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)37ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220AB Full-Pak

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제조업체

IXYS

시리즈

XPT™, GenX3™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

132A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

전력-최대

600W

에너지 전환

800µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

86nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/90ns

테스트 조건

400V, 36A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

36ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

96A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

전력-최대

577W

에너지 전환

2.7mJ (on), 1.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/177ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

AIHD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

190µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/168ns

테스트 조건

400V, 10A, 26Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

IRGIB6B60KD116P

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

22A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

110µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/215ns

테스트 조건

400V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

STGD6NC60HT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

전력-최대

56W

에너지 전환

20µJ (on), 68µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/76ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

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