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IRG4PC50FDPBF

IRG4PC50FDPBF

참조 용

부품 번호 IRG4PC50FDPBF
PNEDA 부품 번호 IRG4PC50FDPBF
설명 IGBT 600V 70A 200W TO247AC
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $41.7162
100 ---------- $39.7608
250 ---------- $37.8053
500 ---------- $35.8499
750 ---------- $34.2203
1,000 ---------- $32.5908
재고 있음 472
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IRG4PC50FDPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4PC50FDPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4PC50FDPBF, IRG4PC50FDPBF 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 217.38 KB)
PDFIRG4PC50FDPBF 데이터 시트 표지
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  • IRG4PC50FDPBF Distributor

IRG4PC50FDPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)280A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 39A
전력-최대200W
에너지 전환1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지190nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C55ns/240ns
테스트 조건480V, 39A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)50ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AC

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

115µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/60ns

테스트 조건

300V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

IRGS4715DTRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

전력-최대

100W

에너지 전환

200µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/100ns

테스트 조건

400V, 8A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

86ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG4BC10SD-L

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

310µJ (on), 3.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

76ns/815ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

RGT8TM65DGC9

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

전력-최대

16W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/69ns

테스트 조건

400V, 4A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220NFM

APT30GP60LDLG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

전력-최대

463W

에너지 전환

260µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/55ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

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