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IRG4PH20KD

IRG4PH20KD

참조 용

부품 번호 IRG4PH20KD
PNEDA 부품 번호 IRG4PH20KD
설명 IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,120
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 8 - 3월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4PH20KD 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4PH20KD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4PH20KD, IRG4PH20KD 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 196.51 KB)
PDFIRG4PH20KD 데이터 시트 표지
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  • IRG4PH20KD Distributor

IRG4PH20KD 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)11A
전류-수집기 펄스 (Icm)22A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4.3V @ 15V, 5A
전력-최대60W
에너지 전환620µJ (on), 300µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지28nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C50ns/100ns
테스트 조건800V, 5A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)51ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AC

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6.8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

27A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

전력-최대

25W

에너지 전환

140µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/87ns

테스트 조건

480V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

HGTG30N60A4D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

전력-최대

463W

에너지 전환

280µJ (on), 240µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/150ns

테스트 조건

390V, 30A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

7.5A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

전력-최대

53.6W

에너지 전환

50µJ (on), 40µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

17.1nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/128ns

테스트 조건

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

RGT30TM65DGC9

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

32W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/64ns

테스트 조건

400V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220NFM

IRG8P60N120KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

420W

에너지 전환

2.8mJ (on), 2.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

345nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/240ns

테스트 조건

600V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

210ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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