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IRG4PH50S-EPBF

IRG4PH50S-EPBF

참조 용

부품 번호 IRG4PH50S-EPBF
PNEDA 부품 번호 IRG4PH50S-EPBF
설명 IGBT 1200V 57A 200W TO247AD
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,888
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 25 - 4월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4PH50S-EPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4PH50S-EPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • IRG4PH50S-EPBF Distributor

IRG4PH50S-EPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)57A
전류-수집기 펄스 (Icm)114A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 33A
전력-최대200W
에너지 전환1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지167nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C32ns/845ns
테스트 조건960V, 33A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD

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650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

167W

에너지 전환

400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/130ns

테스트 조건

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

IXBT12N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.4µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

전력-최대

200W

에너지 전환

4.1mJ (on), 1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 20A, 68Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

130ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

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NGTD28T65F2WP

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

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200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

전력-최대

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-

입력 유형

Standard

게이트 차지

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Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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Die

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