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IRG4PSH71UD

IRG4PSH71UD

참조 용

부품 번호 IRG4PSH71UD
PNEDA 부품 번호 IRG4PSH71UD
설명 IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $52.6991
100 ---------- $50.2289
250 ---------- $47.7586
500 ---------- $45.2883
750 ---------- $43.2298
1,000 ---------- $41.1712
재고 있음 2,021
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4PSH71UD 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4PSH71UD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4PSH71UD, IRG4PSH71UD 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 325.79 KB)
PDFIRG4PSH71UD 데이터 시트 표지
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  • IRG4PSH71UD Distributor

IRG4PSH71UD 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)99A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 70A
전력-최대350W
에너지 전환8.8mJ (on), 9.4mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지380nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C46ns/250ns
테스트 조건960V, 70A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)110ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-274AA
공급자 장치 패키지SUPER-247™ (TO-274AA)

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제조업체

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

180W

에너지 전환

2.85mJ (on), 6.47mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/290ns

테스트 조건

960V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGFL6NC60D

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

전력-최대

22W

에너지 전환

46.5µJ (on), 23.5µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6.7ns/46ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

30ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

전력-최대

430W

에너지 전환

15.5mJ (on), 4.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/238ns

테스트 조건

1500V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

TIG111BF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

전력-최대

2W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

43ns/175ns

테스트 조건

300V, 10A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FI(LS)

FGH75N60SFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

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Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

전력-최대

452W

에너지 전환

2.7mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

250nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/138ns

테스트 조건

400V, 75A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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