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IRG4RC10KDTRPBF

IRG4RC10KDTRPBF

참조 용

부품 번호 IRG4RC10KDTRPBF
PNEDA 부품 번호 IRG4RC10KDTRPBF
설명 IGBT 600V 9A 38W DPAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,606
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4RC10KDTRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4RC10KDTRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4RC10KDTRPBF, IRG4RC10KDTRPBF 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 321.71 KB)
PDFIRG4RC10KDPBF 데이터 시트 표지
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  • IRG4RC10KDTRPBF Distributor

IRG4RC10KDTRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)9A
전류-수집기 펄스 (Icm)18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.62V @ 15V, 5A
전력-최대38W
에너지 전환250µJ (on), 140µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지19nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C49ns/97ns
테스트 조건480V, 5A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)28ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-Pak

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

전력-최대

79W

에너지 전환

300µJ (on), 1.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

96nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21.5ns/180ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3P

AUIRGP4063D

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

144A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 48A

전력-최대

330W

에너지 전환

625µJ (on), 1.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/145ns

테스트 조건

400V, 48A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

115ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

270µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/160ns

테스트 조건

400V, 15A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

74ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

170A

전류-수집기 펄스 (Icm)

360A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

전력-최대

750W

에너지 전환

2.8mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

123nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/93ns

테스트 조건

400V, 60A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

IRG4PC30UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

380µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/91ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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