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IRG4RC10STRRPBF

IRG4RC10STRRPBF

참조 용

부품 번호 IRG4RC10STRRPBF
PNEDA 부품 번호 IRG4RC10STRRPBF
설명 IGBT 600V 14A 38W DPAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,780
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 29 - 4월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4RC10STRRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4RC10STRRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4RC10STRRPBF, IRG4RC10STRRPBF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,122.42 KB)
PDFIRG4RC10STRRPBF 데이터 시트 표지
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  • IRG4RC10STRRPBF Distributor

IRG4RC10STRRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)14A
전류-수집기 펄스 (Icm)18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 8A
전력-최대38W
에너지 전환140µJ (on), 2.58mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지15nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/630ns
테스트 조건480V, 8A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-Pak

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/90ns

테스트 조건

400V, 30A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

STGW80H65FB-4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

전력-최대

469W

에너지 전환

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

414nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

84ns/280ns

테스트 조건

400V, 80A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

TO-247-4L

APT54GA60BD30

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

96A

전류-수집기 펄스 (Icm)

161A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

전력-최대

416W

에너지 전환

534µJ (on), 466µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/112ns

테스트 조건

400V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IXBP5N160G

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5.7A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

7.2V @ 15V, 3A

전력-최대

68W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

26nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

960V, 3A, 47Ohm, 10V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

RJH60F7DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 50A

전력-최대

328.9W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

63ns/142ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247A

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