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IRG5K150HF12B

IRG5K150HF12B

참조 용

부품 번호 IRG5K150HF12B
PNEDA 부품 번호 IRG5K150HF12B
설명 MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,120
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 29 - 4월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG5K150HF12B 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG5K150HF12B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
IRG5K150HF12B, IRG5K150HF12B 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 874.65 KB)
PDFIRG5K150HF12B 데이터 시트 표지
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  • IRG5K150HF12B Distributor

IRG5K150HF12B 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)300A
전력-최대1060W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce19nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지POWIR® 62

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Infineon Technologies

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-

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Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전력-최대

64W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

700pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

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구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

240W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.66V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.79nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

16-MTP Module

공급자 장치 패키지

MTP

APTGT50DU120TG

Microsemi

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

277W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

CM50RL-24NF

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

390W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.5nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF75SK60D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

355W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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