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IRG7T50FF12E

IRG7T50FF12E

참조 용

부품 번호 IRG7T50FF12E
PNEDA 부품 번호 IRG7T50FF12E
설명 MOD IGBT 1200V 50A 6PK POWIRECO2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG7T50FF12E 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG7T50FF12E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
IRG7T50FF12E, IRG7T50FF12E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 860.61 KB)
PDFIRG7T50FF12E 데이터 시트 표지
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  • IRG7T50FF12E Distributor

IRG7T50FF12E 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전력-최대340W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce6.7nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스POWIR ECO 2™ Module
공급자 장치 패키지POWIR ECO 2™

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110A

전력-최대

298W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

277W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP2

공급자 장치 패키지

SP2

APTGF300DA120D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

420A

전력-최대

2100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

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IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전력-최대

431W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 65A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

APTGTQ100H65T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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