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IRG8P50N120KDPBF

IRG8P50N120KDPBF

참조 용

부품 번호 IRG8P50N120KDPBF
PNEDA 부품 번호 IRG8P50N120KDPBF
설명 IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG8P50N120KDPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG8P50N120KDPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG8P50N120KDPBF, IRG8P50N120KDPBF 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 603.57 KB)
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  • IRG8P50N120KDPBF Distributor

IRG8P50N120KDPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 35A
전력-최대350W
에너지 전환2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지315nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C35ns/190ns
테스트 조건600V, 35A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)170ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AC

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

전력-최대

160W

에너지 전환

730µJ (on), 1.66mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

94nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/200ns

테스트 조건

960V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

FGA50N60LS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

전력-최대

240W

에너지 전환

1.1mJ (on), 3.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

167nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

54ns/146ns

테스트 조건

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

IRG4BC20FDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

250µJ (on), 640µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

43ns/240ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

GPA025A120MN-ND

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 25A

전력-최대

312W

에너지 전환

4.15mJ (on), 870µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

350nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

57ns/240ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

480ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

FGL12040WD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

전력-최대

391W

에너지 전환

4.1mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

226nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/560ns

테스트 조건

600V, 40A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

71ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

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