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IRGB4607DPBF

IRGB4607DPBF

참조 용

부품 번호 IRGB4607DPBF
PNEDA 부품 번호 IRGB4607DPBF
설명 IGBT 600V 11A 58W TO220
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,590
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRGB4607DPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGB4607DPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRGB4607DPBF, IRGB4607DPBF 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 843.38 KB)
PDFIRGR4607DTRPBF 데이터 시트 표지
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  • IRGB4607DPBF Distributor

IRGB4607DPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)11A
전류-수집기 펄스 (Icm)12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 4A
전력-최대58W
에너지 전환140µJ (on), 62µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지9nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C27ns/120ns
테스트 조건400V, 4A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)48ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

47A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

전력-최대

45W

에너지 전환

260µJ (on), 3.45mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/540ns

테스트 조건

480V, 18A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

SGH40N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 20A

전력-최대

160W

에너지 전환

160µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

97nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/65ns

테스트 조건

300V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

AOK20B135E1

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1350V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

58nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/134ns

테스트 조건

600V, 20A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

NGTB75N65FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

전력-최대

595W

에너지 전환

1.5mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

310nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

110ns/270ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGB15M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

전력-최대

136W

에너지 전환

90µJ (on), 450µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

45nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/93ns

테스트 조건

400V, 15A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

142ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BC33725TA

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WSL2010R0100FEA18

WSL2010R0100FEA18

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1W 2010

IS25CQ032-JBLE

IS25CQ032-JBLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

AD8250ARMZ-R7

AD8250ARMZ-R7

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP