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IRGI4064DPBF

IRGI4064DPBF

참조 용

부품 번호 IRGI4064DPBF
PNEDA 부품 번호 IRGI4064DPBF
설명 IGBT 600V 15A 38W TO220
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,328
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRGI4064DPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGI4064DPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRGI4064DPBF, IRGI4064DPBF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 389.71 KB)
PDFIRGI4064DPBF 데이터 시트 표지
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IRGI4064DPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)15A
전류-수집기 펄스 (Icm)24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 8A
전력-최대38W
에너지 전환20µJ (on), 125µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지21nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C29ns/84ns
테스트 조건400V, 8A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)48ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220AB Full-Pak

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 18A

전력-최대

390W

에너지 전환

1.9mJ (on), 1.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/170ns

테스트 조건

960V, 18A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

75ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGD6M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

전력-최대

88W

에너지 전환

36µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

21.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/90ns

테스트 조건

400V, 6A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

NGTD30T120F2SWK

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

APT44GA60BD30C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 26A

전력-최대

337W

에너지 전환

409µJ (on), 450µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

128nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/102ns

테스트 조건

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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SGH15N60RUFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 15A

전력-최대

160W

에너지 전환

320µJ (on), 356µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

42nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/44ns

테스트 조건

300V, 15A, 13Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

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