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IRGP30B60KD-EP

IRGP30B60KD-EP

참조 용

부품 번호 IRGP30B60KD-EP
PNEDA 부품 번호 IRGP30B60KD-EP
설명 IGBT 600V 60A 304W TO247AD
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRGP30B60KD-EP 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGP30B60KD-EP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IRGP30B60KD-EP 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 30A
전력-최대304W
에너지 전환350µJ (on), 825µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지102nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C46ns/185ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)125ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32A

전류-수집기 펄스 (Icm)

36A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

전력-최대

140W

에너지 전환

75µJ (on), 225µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/83ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IGA03N120H2XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전류-수집기 펄스 (Icm)

9A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

전력-최대

29W

에너지 전환

290µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

8.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9.2ns/281ns

테스트 조건

800V, 3A, 82Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

IRG4PC50SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.36V @ 15V, 41A

전력-최대

200W

에너지 전환

720µJ (on), 8.27mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

180nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

33ns/650ns

테스트 조건

480V, 41A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™, GenX4™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

62A

전류-수집기 펄스 (Icm)

136A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

전력-최대

230W

에너지 전환

1.1mJ (on), 400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

47nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/140ns

테스트 조건

400V, 30A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IXBH42N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

전력-최대

360W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

188nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.32µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

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