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IRGP6630D-EPBF

IRGP6630D-EPBF

참조 용

부품 번호 IRGP6630D-EPBF
PNEDA 부품 번호 IRGP6630D-EPBF
설명 IGBT 600V 30A TO247AD
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 2,304
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IRGP6630D-EPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGP6630D-EPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRGP6630D-EPBF, IRGP6630D-EPBF 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 686.46 KB)
PDFIRGP6630DPBF 데이터 시트 표지
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  • IRGP6630D-EPBF Distributor

IRGP6630D-EPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)47A
전류-수집기 펄스 (Icm)54A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 18A
전력-최대192W
에너지 전환75µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C40ns/95ns
테스트 조건400V, 18A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)70ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

180A

전류-수집기 펄스 (Icm)

450A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 40A

전력-최대

390W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

169nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

AIKP20N60CTAKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

전력-최대

156W

에너지 전환

310µJ (on), 460µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/199ns

테스트 조건

400V, 20A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

IRGSL14C40LPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

전력-최대

125W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

900ns/6µs

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

NGTB30N120LWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

전력-최대

560W

에너지 전환

4.4mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

420nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

136ns/360ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

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시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

400W

에너지 전환

380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

138nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/115ns

테스트 조건

480V, 40A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

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