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IRGR3B60KD2TRRP

IRGR3B60KD2TRRP

참조 용

부품 번호 IRGR3B60KD2TRRP
PNEDA 부품 번호 IRGR3B60KD2TRRP
설명 IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,528
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRGR3B60KD2TRRP 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGR3B60KD2TRRP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IRGR3B60KD2TRRP 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)7.8A
전류-수집기 펄스 (Icm)15.6A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 3A
전력-최대52W
에너지 전환62µJ (on), 39µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지13nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C18ns/110ns
테스트 조건400V, 3A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)77ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-Pak

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

전력-최대

536W

에너지 전환

610µJ (on), 1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

310nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/157ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

TO-247-4L

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

410µJ (on), 230µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

77nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/60ns

테스트 조건

400V, 30A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

APT25GP90BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

72A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

전력-최대

417W

에너지 전환

370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/55ns

테스트 조건

600V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRG4BC30KPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

58A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

전력-최대

100W

에너지 전환

360µJ (on), 510µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

67nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/130ns

테스트 조건

480V, 16A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGD2736G3-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 펄스 (Icm)

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.65V @ 4.5V, 10A

전력-최대

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에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

4µs/15µs

테스트 조건

14V, 10A, 1000Ohm, 5V

역 복구 시간 (trr)

7µs

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

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