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IRL1104L

IRL1104L

참조 용

부품 번호 IRL1104L
PNEDA 부품 번호 IRL1104L
설명 MOSFET N-CH 40V 104A TO-262
제조업체 Infineon Technologies
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IRL1104L 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRL1104L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRL1104L, IRL1104L 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 197.79 KB)
PDFIRL1104STRR 데이터 시트 표지
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IRL1104L 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)104A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs68nC @ 4.5V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3445pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.4W (Ta), 167W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-262
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

152nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

480W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

33A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

113nC @ 15V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2735pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.12W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI4491EDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

153nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4620pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 6.9W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

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IXKC25N80C

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4600pF @ 25V

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-

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4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

440pF @ 25V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

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8-SO

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