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IRL3502STRR

IRL3502STRR

참조 용

부품 번호 IRL3502STRR
PNEDA 부품 번호 IRL3502STRR
설명 MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 5,382
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRL3502STRR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRL3502STRR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRL3502STRR, IRL3502STRR 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 134.07 KB)
PDFIRL3502STRR 데이터 시트 표지
IRL3502STRR 데이터 시트 페이지 2 IRL3502STRR 데이터 시트 페이지 3 IRL3502STRR 데이터 시트 페이지 4 IRL3502STRR 데이터 시트 페이지 5 IRL3502STRR 데이터 시트 페이지 6 IRL3502STRR 데이터 시트 페이지 7 IRL3502STRR 데이터 시트 페이지 8 IRL3502STRR 데이터 시트 페이지 9

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IRL3502STRR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7mOhm @ 64A, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs110nC @ 4.5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4700pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)140W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

IXYS

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

900mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3080pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

380W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PLUS-220SMD

패키지 / 케이스

PLUS-220SMD

NP82N04NUG-S18-AY

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

82A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 41A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9750pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta), 143W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-262

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IRF7946TR1PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®, StrongIRFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

212nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6852pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MX

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MX

제조업체

IXYS

시리즈

Polar™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFP4004PBF

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HEXFET®

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

195A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 195A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8920pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

380W (Tc)

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