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IRL3714STRL

IRL3714STRL

참조 용

부품 번호 IRL3714STRL
PNEDA 부품 번호 IRL3714STRL
설명 MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRL3714STRL 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRL3714STRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRL3714STRL, IRL3714STRL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 132.18 KB)
PDFIRL3714STRR 데이터 시트 표지
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  • IRL3714STRL Distributor

IRL3714STRL 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9.7nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds670pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)47W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

IXYS

시리즈

TrenchP™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3820pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

IPP65R660CFDXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

660mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

615pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

62.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

AON6566P

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

IRL540NSTRRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

44mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

74nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 140W (Tc)

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

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Diodes Incorporated

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Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4310pF @ 15V

FET 기능

Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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