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IRLR014NTRL

IRLR014NTRL

참조 용

부품 번호 IRLR014NTRL
PNEDA 부품 번호 IRLR014NTRL
설명 MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
제조업체 Infineon Technologies
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IRLR014NTRL 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLR014NTRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRLR014NTRL, IRLR014NTRL 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 116.16 KB)
PDFIRLU014N 데이터 시트 표지
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IRLR014NTRL 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs140mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.9nC @ 5V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds265pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)28W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-Pak
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta), 59A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+16V, -12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

740pF @ 12.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

175mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 8µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

228pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

560mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

IPB240N04S41R0ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 180µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

221nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17682pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

231W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 51A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 25V

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

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