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IRLZ14S

IRLZ14S

참조 용

부품 번호 IRLZ14S
PNEDA 부품 번호 IRLZ14S
설명 MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 3,636
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRLZ14S 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLZ14S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRLZ14S, IRLZ14S 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 369.3 KB)
PDFIRLZ14STRR 데이터 시트 표지
IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 2 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 3 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 4 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 5 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 6 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 7 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 8 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 9 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 10 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 11

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IRLZ14S 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs200mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.4nC @ 5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.7W (Ta), 43W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.75W (Ta), 136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SK8603170L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta), 59A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 2.56mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 24W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

HSO8-F4-B

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

SPI07N60C3HKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 350µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3-1

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

DMNH6012LK3Q-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1926pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1598pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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