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IRLZ14S

IRLZ14S

참조 용

부품 번호 IRLZ14S
PNEDA 부품 번호 IRLZ14S
설명 MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
제조업체 Vishay Siliconix
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재고 있음 3,636
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 23 - 1월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRLZ14S 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLZ14S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRLZ14S, IRLZ14S 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 369.3 KB)
PDFIRLZ14STRR 데이터 시트 표지
IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 2 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 3 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 4 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 5 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 6 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 7 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 8 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 9 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 10 IRLZ14STRR 데이터 시트 페이지 11

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IRLZ14S 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs200mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.4nC @ 5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.7W (Ta), 43W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 240µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

570pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI7374DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 23.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5500pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Ta), 56W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

SK8603170L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta), 59A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 2.56mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 24W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

HSO8-F4-B

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

DMNH6012LK3Q-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1926pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30.5A (Ta), 28A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1950pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Ta), 28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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