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IRLZ24NSTRL

IRLZ24NSTRL

참조 용

부품 번호 IRLZ24NSTRL
PNEDA 부품 번호 IRLZ24NSTRL
설명 MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
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IRLZ24NSTRL 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLZ24NSTRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRLZ24NSTRL, IRLZ24NSTRL 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 197.23 KB)
PDFIRLZ24NSTRR 데이터 시트 표지
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  • IRLZ24NSTRL Distributor

IRLZ24NSTRL 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 5V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds480pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.8W (Ta), 45W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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P-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

727pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

76mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

PSMN057-200B,118

Nexperia

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시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

57mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3750pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.8nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

440pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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4.6Ohm @ 400mA, 0V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.7nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

312pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

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